倍福文学

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第460章 极限的边界（第4页）

十五条长轴线，加了二十三个缓冲器。

新版的面积，比原来大了18%，晶体管数量，多了272个。

“这版再流片，良率至少能到3o%。”

诸葛彪看着最终的版图，“如果片子质量没问题，可能还能更高。”

“3o%够了。”

钱兰说，“比8%强。”

她拿出一个册子：“这是gpmc-o1芯片次流片失效分析报告，大家看看。”

这是她整理的，这一个月来的所有数据。

失效芯片的坐标图，典型故障的显微照片，击穿点的版图对照，延迟测试的波形图，设计问题的清单，工艺问题的清单，原材料问题的分析报告……

她把这些资料一页一页归拢，一页一页核对。

写这份报告的初衷，第一次流片的经过，现问题的过程，分析问题的思路。

包括设计缺陷、工艺波动，以及延迟标背后的长线问题。以及这一个月来，他们是怎么一条线一条线地改，怎么一个晶体管一个晶体管地换，怎么一个缓冲器一个缓冲器地加。

她写得很详细，每一处改动的理由，每一个参数的取舍，每一次争论的焦点，都写得清清楚楚。

这份报告不仅仅是对过去的总结，更是对未来的教材。

那些后来者，那些也要经历第一次流片失败的人，可以从这份报告里，看到一条从失败走向成功的路。

此刻，报告已经被打印出来，装订成册。

封面是白色的硬纸，上面印着一行字：《gpmc-o1芯片次流片失效分析报告》。

下面还有一行小字：集成电路实验室，1966年1月。

三个人围坐在桌前，一页一页翻着这份报告。

六十颗芯片的坐标图，每一颗的故障类型都标得清清楚楚。

典型故障的显微照片，那些短路、击穿的痕迹，像一道道伤疤。

击穿点的坐标与版图对照，精确到微米。

延迟测试的波形图，每一张都有详细的标注。

最后是结论与建议。

设计问题：电源线与地线间距过小，晶体管尺寸偏小，长走线缺乏缓冲器。

工艺问题：氧化层致密性不足，掺杂浓度波动大，洁净度有薄弱环节。

原材料问题：晶圆存在位错密度高的缺陷带。

下一版改进方案：缩窄设计规则，加大晶体管尺寸，增加缓冲器；优化氧化工艺，调整掺杂工艺，加强来料检验。

诸葛彪翻完最后一页，长长地吐了一口气：“这报告，够写一篇毕业论文了。”

钱兰笑了：“那你拿去答辩。”

……