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第349章 微波与微电（第3页）

王主任接过文件，戴上眼镜仔细翻阅，其他老师也传阅着复印件。

清单详细列出了“星河计划”

在高频领域需要攻克的技术难点：

高频晶体管器件物理与结构设计

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微波无源器件（滤波器、耦合器、匹配网络）的芯片微型化

高速互连的传输线模型与设计规则

低寄生参数封装技术

高频参数测试方法与标准

高频集成电路的可靠性评估方法

每一项都附有详细的技术指标、现状分析和预期目标。

会议室里安静下来，只有翻动纸张的沙沙声。

良久，王主任抬起头：“这份清单很专业，也很务实，没想到还不到一年，星河计划就已经深入到如此地步。”

他转向其他老师：“各位，有什么问题，可以直接问。”

王振华老师第一个发言：“吕辰同志，你们现在的高频晶体管研究进展如何，用的是硅材料还是其他材料？”

“目前还在硅材料上探索。”

吕辰如实回答，“我们在研究缩短沟道长度、减小结面积、优化掺杂分布等方法，希望把硅晶体管的截止频率提高到几百MHz。但长远看，要实现GHz频率，可能需要砷化镓或其他化合物半导体。”

“砷化镓我们有一些研究。”

材料实验室的孙教授说，“我们实验室能拉制直径2英寸的砷化镓单晶，纯度达到6个9。但器件工艺还不成熟，主要是欧姆接触和表面钝化问题没解决。”

“这正是我们可以合作的方向。”

吕辰说，“‘星河计划’有完整的平面工艺线，可以做光刻、扩散、薄膜沉积。如果成电提供材料，我们可以尝试制作简单的砷化镓器件，共同摸索工艺条件。”

孙教授眼睛一亮：“这个思路好！我们以前只能做材料表征，做不了器件。如果你们有工艺能力，我们可以深度合作！”

李建国老师接着问：“高频封装方面，你们有什么具体设想？现在的金属-陶瓷封装，在高频下寄生电感、电容很大。”

“我们有几个思路。”

吴国华接过话头，“一是研究多层陶瓷封装，用低温共烧陶瓷（LTCC）技术制作埋置式无源器件和三维互连；二是研究倒装焊（FlipChip）技术，缩短芯片与封装间的引线长度；三是探索硅基封装，直接在硅片上制作再分布层和微凸点。”

他顿了顿：“但这些都需要真空镀膜、精密光刻、高温烧结等工艺。成电在真空技术和陶瓷材料方面有基础，我们可以联合攻关。”

张明远老师关心测试问题：“高频参数测量，需要矢量网络分析仪、探针台等昂贵设备……”

……

讨论持续了一个多小时，成电的老师们从各自专业角度提出问题，吕辰三人一一解答。

双方越聊越深入，很多想法不谋而合。

最后，王主任清了清嗓子，会议室安静下来。

王主任缓缓说道：“星河计划在高频领域的需求是真实的，技术路线是清晰的。而成电在这些相关领域的技术积累，确实能够为星河计划提供支撑。”

他看向吕辰：“吕辰同志，我原则上同意成电加入‘星河计划’，在高频集成电路领域开展全面合作。但有几个问题需要明确。”

“王主任请讲。”

“第一，合作的组织形式，是成立联合实验室，还是项目组形式？”

“我们建议成立‘成电—星河计划高频技术联合实验室’。”

吕辰早有准备，“实验室设在成电，由成电提供场地、设备和主要研究人员，‘星河计划’提供部分经费、技术需求和工艺支持。实验室主任由成电推荐，‘星河计划’派副主任。研究成果双方共享。”

王主任点头：“这个模式可行。第二，研究方向。虽然清单列出了三十七个子项，但我们需要确定优先级，集中力量攻关最关键的几个方向。”