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第585章 国产光刻机崛起的希望高通小丑（第1页）

euV光源，即13.5纳米波长的极深紫外光，是实现“精密电路雕刻”

的核心，直接决定了芯片的最小线宽、集成度与性能上限。

只需一次曝光，就能把掩膜版上的电路图，复制到晶圆表层。

而传统的duV光刻机，需通过“多重曝光”

，才能形成芯片所需的精细线路。

具体来说，就是要对同一区域的光刻胶进行2到4次光刻与显影操作，最终效果才相当于euV光刻机一次曝光所能达到的水平。

梁劲松从格罗方德、联华电子手里购买的nxT195oiduV光刻机，虽然也能生产14纳米、乃至1o纳米的芯片，但必须利用多重曝光工艺。

然而，多次曝光会导致光刻步骤增加，生产周期变长、良品率骤减、成本迅上升，至少要高个3o%到5o%。

这也是为何阿斯麦只要不向华国的Fab工厂出售euV光刻机，便能牢牢卡住整个半导体行业脖子的主要原因。

即便掌握了其他关键技术，也会因制造成本居高不下，从而失去商业价值与市场竞争力。

就拿同一款芯片产品来说，高通以2o美币的价格出售仍有毛利可赚，但国内芯片制造商若同样以2o美币的价格售卖，反而要亏损三成。

面对这样的成本与盈利差距，采购方自然不愿买单。

陈延森提出的磁约束放电激方式，则放弃了激光轰击液态金属锡、激极深紫外光的方案，转而采用在强磁场约束下，通过高功率脉冲放电，在金属锡靶表面产生稳定、高亮度等离子体的技术路径。

优点显而易见，固态靶材加高压放电，机械结构更简单，稳定性更高。

这是一项差异化极大的技术，可以绕过大量现有的Lpp专利壁垒墙。

“辛苦了，继续在磁约束放电激技术的基础上，深耕延伸专利，以防欧美的半导体公司使用微创新的手段，反过来限制我们。”

陈延森在听完林南的汇报后，当即叮嘱道。

高通为什么栽了？

还不是他在射频、通信解码等技术上，设置了全新的专利壁垒，把高通的出口给堵住了。

要不然，保罗·雅各布能心甘情愿地与天工科技签订专利交叉授权协议？

想都别想！

自己走过的路，当然要堵死！

他可不想有朝一日，突然冒出来一家公司，起诉星源科技侵权。

“好的老板，我知道构建专利生态壁垒的重要性。”

林南立即应道。

他是沪城光学精密机械研究所的高级工程师，在行业内小有名气。

之前，星源科技和华科协会下属光电所联手推进攻关计划时，胡锐晖就向陈延森推荐了林南。

陈延森要钱给钱，要器材给器材，完全是一副财大气粗的样子。

林南在研究所蹉跎了十几年，眼看民营公司的研究员都拿到了诺贝尔化学奖，他哪里还坐得住？

在收到陈延森的邀请后，二话不说，就加入了星源科技的光学研究实验室，与光电所的院士们并肩作战，试图另辟蹊径，寻找一种可商用的euV光源激方式。

起初毫无进展，直到陈延森指了一条天马行空的路线。

用“电磁场”