倍福文学

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第625章 专题汇报（第5页）

他翻开文件夹，念了几个数字。

“1微米光刻机，长光所已经完成原理样机，预计1972年之前具备量产能力。o.8微米工艺，63o5厂已经启动预研，目标1973年之前突破关键技术。4英寸硅单晶，材料组已完成实验室样品，纯度8n以上，目标明年年底之前实现批量生产。”

长插了一句话，声音不大，但每个字都很清楚。

“刘教授，你刚才说‘并跑’和‘领跑’。你觉得，我们现在哪些方向是‘并跑’，哪些方向已经‘领跑’了？”

刘星海教授想了想，回答得很慎重。

“长，向量并行架构这个方向上，昆仑1机的技术路线和性能指标，在国际上是有竞争力的，可以说我们跑在了前面。这是一个架构层面的创新，不是简单地在主频上跟别人较劲。”

他顿了顿，又说。

“但在基础工艺和核心设备上，比如光刻机、高纯材料、eda工具，我们跟西方还有差距。这些方向，目前是‘并跑’，跟得上，但谈不上领先。”

长点了点头，没再追问。

刘星海教授继续往下讲，讲了星河计划的组织模式、协作机制、人才培养、下一步的规划。

他讲得不紧不慢，每一个判断都有数据支撑，每一个结论都有事实依据。

讲了大约十五分钟，他合上文件夹，退后一步。

“星河计划的总体情况，我就汇报到这里。”

长微微点了点头，目光转向陈光远。

陈光远站起来，翻开文件夹，开始汇报。

他的声音比刘星海教授沉一些，带着一种厂长特有的、干练的、不拖泥带水的节奏。

“长，各位领导。我汇报63o5厂在光刻工艺和芯片制造方面的进展。”

他在白板上画了一个简图，标注了光刻机的几个核心部件。

“光刻机，是集成电路制造的核心设备，也是我们与西方差距最大的领域之一。目前，2微米光刻机已经技术稳定量产，完全自主。1微米光刻机，工作台精度需要o.o5微米，曝光波长365纳米，物镜数值孔径o.4。这些指标，我们已经在实验室里跑通了。现在卡在批量制造的良率上。”

长问了一句：“良率多少？目标多少？”

陈光远翻开文件夹，看了一眼数据。

“目前实验室良率约4o%，目标量产良率65%以上。我们预计，今年年底之前能解决这个问题。”

长又问了一句：“1微米光刻机，关键零部件是进口的还是自产的？”

陈光远的回答很干脆：“全部自产。光源、镜头、工作台、对准系统，全部是国内配套的。”

长点了点头。

陈光远继续往下讲，讲了光刻胶、掩模版、纯水、洁净室等配套技术的进展，讲了63o5厂下一步的扩产计划，讲了2微米工艺的良率爬坡情况。