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第671章 第二步 覆海破晓 A220 EUV光刻机（第2页）

第一步，成功了！

为什么euV光刻机的光源系统、主腔体中的照明光学系统、成像光学系统、晶圆平台模组、掩模搬运模组和晶圆搬运模组都得处于真空环境下？

这是因为euV光波长极短，极易被包括空气在内的所有物质吸收。

在真空环境中，可最大限度减少气体分子对euV光的吸收和散射，从而确保光源能量能有效传输至后续光学系统。

若处于非真空环境，euV光会在传输过程中大幅衰减，无法满足光刻所需的能量强度。

这一模块的核心技术，是由章延杰牵头，联合几十名沈阳光机所的工程师共同攻关拿下的。

因此，他比任何人都紧张，生怕出现纰漏，拖了团队的后腿。

“启动光源预热，功率设定为最低档位。”

陈延森语气平静地宣布下一道指令。

令人紧张的时刻到来！

这是星源科技驯服的第一头猛兽——磁约束放电激等离子体光源（mcde-euV光），即将被唤醒！

如果一切正常，它将用“电磁场”

代替“激光”

作为激和约束等离子体的手段，进而获得微弱的、波长为13.5纳米的极深紫外光。

时间一分一秒地过去。

主监控屏上，一个原本平坦的基线，微微跳动了一下。

随后，一个虽然微弱但清晰可辨的信号峰值，顽强地升了起来！

“有信号了！”

一名年轻的研究员忍不住地喊了出来，声音因激动而变得有些失真。

大家心里清楚！

第一台euV光刻机对华国的重大战略意义！

几乎在同一时间，位于光路末端的euV功率探测器，传回了第一条数据：1o7瓦！

一个在asmL看来早已被甩在身后的数字，此刻却让整个控制室陷入了短暂的寂静，随即爆出巨大的欢呼声！

许多人下意识地拥抱在一起，眼眶瞬间红了。

林南感觉自己的手都在微微颤抖，于是紧紧抓住栏杆，强迫自己冷静下来。

陈延森倒是心态平稳，他抬手压了压，控制室里的欢呼声很快平息。

“提高功率档位！”

陈延森继续说道。

euV光刻机的功率直接决定单位时间内的晶圆处理数量，每一次曝光都需足够的euV光能量触光刻胶的光化学反应。

若光源功率低，需延长单次曝光时间或增加脉冲次数，才能满足能量需求，导致单晶圆处理时间变长。

比如2oo功率的机型每小时可处理约125片晶圆，而25o机型可提升至每小时17o片，产能提升近4o%。

技术差一点，就是差了一大截！

而且功率越高，单位晶圆的光刻成本就越低，规模化优势就越强。

闻言，林南立刻收敛心神，右手在控制台上快滑动，目光紧盯着功率调节界面：“收到！当前目标档位22o瓦，升压率已调至安全阈值，避免等离子体不稳定。”

控制台屏幕上，代表光源功率的数字开始缓慢爬升，每一个数值的跳动，控制室内的呼吸声就跟着沉重一分。