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曲程和秦龙依旧客客气气。
几人走进实验室,映入眼帘的就是各类设计算机,科研人员正各司其职的工作着。
“这边请。”
高正谦继续带路。
四人穿过数个工位,来到了高正谦的研发工位,这里的计算机都处于工作状态,屏幕内容也都是电路的设计图。
做为业内人士,曲程看着eda软件参数的7纳米标识,有些不解道“这是在设计7纳米芯片吗?”
“不是3纳米?”
秦龙目光看向陈星。
陈星同样愣了愣,不解地看向高正谦道“新的芯片项目?”
不应该啊!
不是设计3纳米芯片吗?
这怎么回事?
面对疑问,高正谦淡然一笑,回应道“此7纳米非彼7纳米,而是采取了多重堆叠技术,让芯片性能翻倍的尝试,严格来说的话,它是性能直逼3纳米芯片的7纳米芯片。”
“???”
“???”
在场的秦龙、曲程都懵了。
7纳米直逼3纳米芯片性能?
();() 这怎么可能!
简直闻所未闻,听都没听说过!
但忽然,曲程想到了什么,连忙询问道“难道这就是突破量子隧穿效应,制造出更高性能芯片的办法?”
芯片纳米制程为什么推进慢?
原因就出自“量子隧穿”
上,必须先解决它,才能造出新一代的纳米制程芯片。
那什么是量子隧穿效应?
众所周知,芯片的算力是由无数个0和1组成。
在电流通过芯片内部的晶体管,它就会给出0和1的反馈,形成基础的算力。
想要算力强劲,那芯片内部的晶体管数量自然要越多越好。
在指甲盖大小的有限面积,晶体管越多越好,这只能是把晶体管相隔的栅极做小,这也是所谓的纳米等级。
可问题来了。
栅极越小,晶体管就越近,电流是有相互吸引性的,这就可能会导致电流汇聚。
具体什么意思?
这就好比说,两股电流通过电路,本该是要产生0和1两个计算单元,结果因为晶体管栅极相隔实在太近,电流出现了交汇融合,导致只触发了0这个计算单元,1的晶体管没有电流触发,就会导致芯片算力出现混乱。
如果不解决这个问题,那就无法提升芯片纳米等级。
而世界公认的最小纳米,是5纳米,要是再往下,就会发生严重的量子遂穿效应。
……
高正谦看了眼曲程,淡淡笑道“是的,纯3纳米制程芯片,这可不是现阶段能够设计的,还需要更高性能的eda软件配合。”
“那就是说,我们其实在设计7纳米制程芯片?”
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