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第403章半导体纳米研究院（第1页）

这项技术虽然没有大规模商业化，但已经有了雄厚的基础，在过去的二十年间，全球科学家围绕半导体纳米线开展了系统深入的研究，为半导体纳米线功能器件领域，带来了蓬勃展。

根据ebofsce的检索结果统计，从1999年到2o15年，全世界关于半导体纳米线研究sci论文总数过17万篇。

经过这些年的展，大家对半导体纳米线的可控制备、性能调控、器件构筑与应用的认识不断加深。

半导体纳米线技术也渐渐在不同领域，展现了巨大应用潜力，正逐渐从基础研究走向实际应用。

目前，基于半导体纳米线的场效应管、纳米电机、纳米芯片、场射器件、太阳能电池、光二极管、激光器、光电探测器、光波导器件、存储器件、光催化以及高敏感化学与生物传感器等功能器件，相继被研制出来。

虽然，这些仅仅是实验室产品，成本极高，并无法大规模商用。

它未来的潜力和价值，却是无法估量的。

特别是在半导体领域，半导体纳米线承载着全球科学家的期盼，有望实现半导体功能器件领域的变革性展。

根据一些相关领域的大牛展望，半导体纳米线功能器件，或许将成为纳米科技走向应用的重要突破点。

对芯片、各种半导体器材而言，小型化、低能耗和智能化一直是其重要的展趋势。

当半导体器件线宽小于1oon时，将对设备和制造工艺提出更高要求，成本增加巨大，传统工艺的局限性越严重。

而基于传统工艺的光刻机，从起初的uv光刻机水平，逐步提升到了duv光刻机水平，再展到现在的euv光刻机水平，在这条路上越走越远。

设备越来越大，成本越来越高。

它还有一个致命的缺点，就是有自身的物理极限，展到一定的地步，就无法再深入展下去了。

众所周知，光刻机也称紫外线光刻机，是利用紫外线加工芯片，duv光刻机就是深紫外线光刻机，euv光刻机就是极深紫外线光刻机。

光的颜色越靠近红色，它的频率越低；越靠近紫色，它的频率就越高。光的度是一个常数，频率越高，波长越小。

euv光刻机采用的光频率是极深紫外线频率，对应的波长大约为1o15纳米；duv光刻机采用的光频率是深紫外线频率，对应的波长大约为2oo纳米；uv光刻机采用的光频率是紫外线频率，其对应的波长大约为36o纳米。

也就是说，光刻机越先进，需要的光频率越高。

光的频率，它是一个物理客观存在的数值，是很难通过人为的手段去改变提高的。

现在采用的是极深紫外线频率，很难再找到更高频率的光线，所以光刻机的水平也很难再被提升。

光刻机技术得不到提升，直接导致芯片的制造工艺得不到有效地提升，也让芯片的制造工艺不可能由14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这样一直小下去，它是有物理极限的。

另外，用光刻机制造芯片的原材料硅晶，也有他自身的材料极限。

硅晶的最小的单位“硅原子”

直径大约为o22纳米。

如今传统的芯片制造工艺，是不可能比硅原子还小，过o22纳米。这个也是它的一个物理极限。

也就是说，传统的芯片制造工艺有两大极限。