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第二百七十一章 成功了光刻工厂实现了（第2页）

林天在检验了十几束13.5纳米波长的极紫外光后，也发现了单色性最好的一条光束，将它设定为1号光刻区域。

又经过了十分钟的参数调试，排除外故障情况，林天输入了确定工作的指令。

下一秒。

运输装置自动取片。

存放在特定区域的半导体硅片被静电吸盘吸起，运送到清洗区域，洗掉附着在半导体硅片表面的灰尘和杂质。

在清洗完成以后，半导体硅片会通过特殊运输通道，运往下一個步骤进行烘烤，待半导体硅片彻底干燥将继续运往下一个步骤，涂抹光刻胶。

（）;（）　　自动取片。

自动清洗。

自动涂胶。

自动光刻。

这就是光刻工厂，亦或者说光刻全自动工厂。

两块光掩膜版已经重叠，他们在特定

这也是为什么第一期的光刻工厂只有5000平的原因，因为建造太大也没用，像静电吸盘和各类自动化运输的设备，都是需要定制化购买的，关键有些设备国内还没有，比如静电吸盘设备。

第一期相当于测试，等测试通过就可以扩建二期、三期甚至是第四期的光刻工厂。

当然了。

前提是可以能光刻成功。

“我们没有单独完整的SOC上帝芯片光掩膜版，只能用两块阴阳掩膜版堆叠在一块形成完整图案，这又会出现个问题。”

林天喃喃自语。

像似给陈星几人解释，又像似说给自己听。

“那就是两块光掩膜版堆叠，两块透明基板会削弱极紫外光能量，导致光刻失败。”

“为了解决这个问题，我加大了粒子加速器的功率，让电子运动的速度再次增加。”

“理论上来说，运行功率的加大，会同步放大电子运动的速度，电子在环形存储器的速度越快，辐射出的极紫外光能量就越强，但我并不能确定这个数值是不是正确的，只能说理论可行。”

光刻工厂没有人测试过，谁也不知道行不行。

现在又因为光掩膜版限制，林天只能加大功率，这给测试又增添了不小的难度。

“试试就知道了。”

陈星默默举起手机拍摄。

虽然他们在操控室，但面前的屏幕有显示洁净室的画面，根本不需要亲自前往。

林天微微颔首，没有说话，他双眸注视着监控画面，神色也显得格外紧张。

烘干冷却，涂满光刻胶的半导体硅片已经被运往了光刻区域，只剩下最后的光刻步骤。

随着透镜组移动到指定位置，13.5纳米波长的极紫外光发生了折射，精准地照射在两块图案互补的光掩膜版上，而光掩膜版上面的完整图案被照射后，最终落到待曝光的半导体硅片表面。

“滋——”

ArF光刻胶遇到光源，内部开始发生化学反应。

而ArF光刻胶又分正胶和反胶，这次曝光用的是正胶，被曝光区域的光刻胶会发生化学反应，没曝光区域则不受到影响。

一块区域被曝光后，透镜组立马移动，侧开照射光源，待移动平台调整后继续移回正位，对下一个区域进行光刻曝光。

12寸半导体硅片，大概能产出232块1.6×1.6的成品裸片，也就是说需要曝光232次。