倍福文学

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第一百三十二章 提前截胡台积电4K（第2页）

“是帮光刻机公司打掩护吗？”

林本坚笑了：“我已经从IBm离职了，IBm这几年也几乎没有在光刻机领域继续投入了。

我又没有为尼康或者佳能工作，为什么要帮他们打掩护。

我当然是从我内心出更加看好arF技术路线。

我们刚刚说的是arF的缺点，这些缺点只是暂时的。

在krF光源代替g线和i线的过程中，同样有很多困难。”

g线是436nm波长的光源，i线是365nm波长的光源。

“相对于g线和i线，krF需要新的光刻胶和抗反射涂层材料来适应krF光源的特性。

同时krF要求更高性能的光学系统和光掩膜材料。当时需要采用更先进的透镜和光学元件，以实现更高的数值孔径和分辨率。

此外，光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。

krF还需要优化曝光过程，以提高成像质量。我们当时主要采用了双重曝光和离焦曝光技术来降低光刻误差。

让我想想，对了，我们当时在研krF光源的时候还要对控制进行考虑，因为krF实现了更高的分辨率，所以需要更严格的制程控制要求。

需要对光刻胶涂覆厚度、曝光剂量、显影过程等参数进行更精确的控制，以保证光刻成像质量和产量。

这么多困难，我们照样克服了，最终krF光源代替了g线和i线，成为了今天的最先进的制程光源。

同样未来短波长的光源势必然会代替长波长的光源，这是技术进步的必然。

我们刚刚讨论的困难只是暂时的困难。”

asmL、尼康和佳能只是暂缓了在arF上的投入，而不是停止了在arF技术路线上的投入。

后来asmL实现弯道车，也是因为他们选择了正确的技术路线，arF光源以水为介质，在光刻胶上面抹一层水。

水的介质折射率是1.44，193纳米÷1.44≈134纳米，arF光源的波长进一步减少了。

asmL能够干掉尼康和佳能，垄断光刻机领域，他们在技术路线的两个关键节点都做出了正确的选择。

应该稳健的时候他们比尼康稳健，从而在光刻机市场站稳了脚跟。

应该激进的时候他们比尼康激进，从而占据了高端市场，把高额利润全部吃掉了，后续一直保持住了技术领先。

arF技术路线突破之后，arF的波长是193nm，他最多能够制造65nm的芯片。

如果要制造4onm制程以下的芯片，需要找到16onm以下的光源。

尼康和佳能等企业选择的是157nm的F2激光，而asmL找到了光源做介质直接一步到位了。

当然没有加一层水那么简单。

“我关于arF技术路线一直认为是有办法解决的。

先是需要专门针对arF光源设计对应的光刻胶，其次是研抗反射涂层，然后是改进光刻机的光学系统，找蔡司定制更先进的透镜。

来实现更高的数值孔径和分辨率。

同时在曝光过程中进行优化。我专门针对arF光源设计了一套分辨率增强技术。

包括辅助特征、离轴照明、双曝光技术等，用以改善图案传输质量和提高分辨率。”

林本坚很兴奋，难得见到这么懂arF技术的同行。

其他懂这玩意的都签了保密协议，林本坚和他们聊的很不尽兴。

华国差的不仅仅是光刻机，差的是整个高端制造业，即便能造出光刻机，光学镜头也能卡你脖子。