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第一百三十一章 光刻机技术路线（第3页）

林本坚的中文说得不太好，因此二人是用英文交流。

“现在光刻机的主流光源采取的是krF，但是前辈你一直认为arF才是未来的展方向。

实际上工业界没有谁采用arF，无论是尼康还是佳能，他们都一直在krF上投入研经费。

我想知道为什么前辈你这么看好arF。”

arF和krF是光刻技术中使用到的深紫外光源，目前主流厂商采用的全部都是krF。

asmL和台积电合作，在林本坚的带领下，最早开始大规模往arF方向投入，这也是后续asmL实现技术垄断的关键因素之一。

说到这里就多说两句，大家都知道光刻机是半导体制程中的关键设备，用于将设计图案转移到晶圆上。

但是具体光刻机是怎么作业的，很多人并不是那么清楚。简单来说先在晶圆表面涂上一层光敏性的光刻胶，这种光刻胶会在紫外光照射下生化学反应，然后改变它的溶解性。

国内光刻机被卡脖子，光刻胶同样被卡脖子。

然后使用光掩膜，一个上面有着细微图案的透明载体，细微图案代表了集成电路中的不同元件和互连。光掩膜被放置在光刻机的光源和硅晶圆之间。

光刻机中的光源（krF或者arF）照射到光掩膜上。

光通过图案的开放区域，被阻挡的部分与图案相对应。

然后，光通过投影光学系统，该系统将图案缩放并聚焦到硅晶圆上涂有光刻胶的表面。

经过曝光后，光刻胶中的光敏材料生化学变化。

在阳性光刻胶中，曝光区域变得更容易溶解；在阴性光刻胶中，曝光区域变得更不容易溶解。

将硅晶圆浸入显影液中，溶解掉光刻胶中生化学变化的区域。这样，光掩膜上的图案就被准确地转移到硅晶圆表面的光刻胶上。

光刻胶图案形成后，通过刻蚀、掺杂或金属沉积步骤将逐层构建出完整的芯片。

在没有线上百科，不对，现在已经有Quora百科了，总之能够准确说出arF和krF证明周新在光刻机领域还是有比较深入研究的。

毕竟很多光刻机领域的从业人员都不知道还有arF这条技术路线。

林本坚说：“arF的波长是193nm，而krF光源的波长是248nm，较短的波长有助于实现更高的分辨率和更精细的图案。”

周新问：“但是arF他在具体处理更小的制程节点的时候，会出现更多的线性波动和不规则性。

虽然arF波长更短，但是它的不可控性更高。

这对于工业化生产来说是大忌。这才是为什么尼康也好，asmL也好，在尝试过arF之后，都不愿意继续朝着这个方向投入研成本的最重要原因吧。”

周新话音刚落，林本坚脸色大变，周新知道arF和krF，这他能理解。

因为这些都是表在公开期刊上的内容，但凡对光刻机感兴趣的人，都有机会阅读到。

但是周新能够准确说出不往arF方向投入的原因，即便从业人员，都没有办法知道的内容。