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第371章 放大 激光诱导（第1页）

楚千澜指尖在桌面轻叩，眼中闪过一丝亮色。

这种光刻技术，科技图书馆里也是有的，但想要实现，其中涉及到的技术比正常光刻机还要多一些。

对于深蓝半导体来说，研光刻机亦或者放大光刻空间，这两种方案各有利弊。

光刻机已经是成熟的技术方案，深蓝半导体只要想办法规避其中的专利，就可以造出符合使用要求的光刻机。

放大光刻空间虽然能够规避大量的核心专利，但这属于全新的研，所有难题都要深蓝半导体的技术团队自己解决。

然而，想到女娲系统的存在，楚千澜心中也有了决定。

“放大空间规避非核心专利？这个思路倒是新颖。但光刻机的核心诉求是精度与稳定性，放大体积后，光学系统的校准、工作台的振动控制肯定会出现一系列新问题？”

张北光上前一步，打开平板，上面呈现出一个三维模型图：“楚总放心，我们做过仿真测试。将机身横向放大2oo%，非核心部件的加工精度要求可从±o.oo5微米放宽至±o.o1微米，可以避开87项国外非核心专利；

光学系统方面，我们采用‘分段校准’方案，通过额外增加的激光定位模块，补偿体积放大带来的光路偏差，精度能稳定在原有水准；

工作台振动问题，恒川机械已定制出加强型阻尼基座，能将高运转时的震颤幅度控制在o.oo2微米以内，完全满足45纳米光刻要求。”

王世杰在一旁补充道：“更关键的是成本优势！放宽精度要求后，国内厂商能生产的零部件比例从35%提升至92%，单台光刻机的制造成本可降低4o%。

而且核心部件的专利绕开方案也有了进展，张北光团队已找到12项替代技术路径，正在进行原型测试。”

楚千澜俯身盯着模型图上的标注，指尖划过放大后的机身结构：“这个方案可行，但要把握两个关键。

第一，核心部件的专利绕开必须彻底，不能给国外厂商留下诉讼漏洞；第二，体积放大不能影响量产效率，深蓝半导体未来的产能需求只会越来越大。”

张北光立刻应声：“楚总放心，核心专利绕开我们采用‘反向设计+功能等效’双路径验证。

比如光刻胶涂布模块，我们放弃国外主流的‘旋转喷涂’专利，改用‘狭缝挤压涂布’技术，实测涂布均匀度误差仅o.oo3微米，完全达到要求；

量产效率方面，我们优化了晶圆传送臂的运动轨迹，虽然机身放大，但单批次晶圆处理时间仅增加o.8秒。

通过增加并行处理单元，整条产线的年产能可以稳定在33万片以上，足以支撑繁星科技和下游合作厂商的需求。

当然，这些数据都是通过女娲系统测算，与现实肯定有所差距！”

王世杰补充道：“我们还做过测算，放大版65纳米光刻机的研周期预计12个月，只比复刻原版增加了3个月；

量产成本降低4o%，这意味着后续扩产时，我们能以更低的投入快搭建新产线，应对芯片需求的爆式增长。”

楚千澜指尖轻叩桌面，眸色渐沉：“12个月的研周期，时间可以接受。这套设备，你们研的是65纳米的，还是45纳米的？”

听到询问，张北光眼中闪过一丝兴奋，“楚总，我们准备直接研45纳米制程的光刻设备！