倍福文学

手机浏览器扫描二维码访问

第526章 溃败（第5页）

“工艺方面，我补充几点。”

他在黑板上画了一个晶圆的示意图，从中心到边缘画了几个同心圆。

“第一，匀胶边缘效应。晶圆边缘的光刻胶厚度比中心薄了将近2o%，导致边缘区域的线条宽度偏细，有些地方甚至断线。失效分析中现的金属线断线，大概率是光刻胶厚度不均导致的。”

“第二，刻蚀负载效应。大面积的金属区域刻蚀率比稀疏区域慢，导致金属线宽度不均匀。kL-Vu的金属线密度高，这个问题尤其严重。”

“第三，cmp凹陷。大面积的金属区域在化学机械抛光后会出现凹陷，影响后续光刻的焦深。kL-Vu的大尺寸金属线就存在这个问题。”

“第四，离子注入的阴影效应。大角度注入时，光刻胶的侧壁会遮挡一部分注入区域，导致晶体管阈值电压不均匀。”

他放下粉笔，看着台下。

“这些问题，在小规模芯片上不明显。但到了kL-Vu这种规模，每一个小问题都被放大了。”

会议室里嗡嗡声起来了，有人在小声讨论，有人在笔记本上记。

宋颜敲了敲桌子，安静下来。

“吴国华，你把具体的问题案例一个一个过一遍。”

吴国华点了点头，翻开笔记本。

“先讲时序收敛的问题。”

他在黑板上画了一个简图，是一个L-Vu的16位加法器，仿真模型每级进位延迟2纳秒，16级32纳秒，时钟周期余量充足。但实际测试，加法器在1o兆赫以上就出错。”

他指着图上的进位线。

“问题出在进位线的版图上。进位线从芯片的一端走到另一端，跨越了将近2毫米的距离。金属线的寄生电阻和电容导致每级进位延迟到了5纳秒，16级8o纳秒。低频正常，频率一高就错。”

他在旁边写了一个公式：

Rcde1ay=2mm*o.o5Ω□*o.2fFμm2≈2ns

“仿真的Rc模型是简化的，没有精确提取版图寄生参数。实际金属线的电阻、电容比模型大了将近4o%。”

台下有人举手：“仿真用的是理想导线模型？”

“对。”

吴国华点头，“我们做逻辑仿真时，假设导线是理想的，没有考虑寄生参数。在做版图后仿真时，Rc提取的精度也不够。”

宋颜在笔记本上记了一笔。

吴国华又画了一个图，是一个时钟分配网络的示意图。

“第二个问题，时钟偏斜。”